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PDTB123YT,215  与  BCR 555 E6327  区别

型号 PDTB123YT,215 BCR 555 E6327
唯样编号 A-PDTB123YT,215 A-BCR 555 E6327
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 PDTB123Y Series 50 V 500 mA SMT PNP Resistor-Equipped Transistor - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 - 10k Ohms
功率耗散Pd 250mW 330mW
特征频率fT - 150MHz
产品特性 - 车规-带阻/预偏置
集电极-射极饱和电压 -300mV -300mV
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
VCBO -50V -50V
工作温度 -65°C~150°C -65°C~150°C
系列 - BCR555
VEBO -5V -
尺寸 2.9*1.3*1 -
集电极连续电流 -500mA -500mA
直流电流增益hFE 70 70
集电极-发射极最大电压VCEO -50V -50V
晶体管类型 PNP PNP
R1 - 2.2k Ohms
库存与单价
库存 1,540 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PDTB123YT,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW -50V -500mA -300mV 70 PNP

暂无价格 1,540 当前型号
DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-23 200mW -50V -500mA 56 200MHz PNP

¥0.4979 

阶梯数 价格
110: ¥0.4979
200: ¥0.3211
1,500: ¥0.2795
13,887 对比
DTB123YKT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW -50V -500mA -300mV 56 200MHz PNP

暂无价格 240 对比
DTB123YKT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW -50V -500mA -300mV 56 200MHz PNP

¥2.5807 

阶梯数 价格
1: ¥2.5807
100: ¥1.4917
1,500: ¥0.9457
3,000: ¥0.6838
95 对比
BCR 555 E6327 Infineon  数据手册 BJT三极管

SOT-23 330mW PNP -50V -500mA -300mV 70 150MHz 车规-带阻/预偏置

暂无价格 0 对比
DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-23 200mW -50V -500mA 56 200MHz PNP

暂无价格 0 对比

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